Soutenance de Thèse de Xiaojun CHEN : "MOVPE growth of III-nitride nanostructures: from self-assembled growth to selective area growth"

Lundi 19 Décembre 2011 à 14h00
PHELMA MINATEC, Amphi 01 - RDC

3, Parvis Louis Néel, 38000 Grenoble

Xiaojun CHEN (CEA/INAC/SP2M)  

Directeur de thèse: Joel EYMERY

Les mécanismes de croissance intervenant dans l’épitaxie en phase gazeuse d’organométalliques de nanostructures sous forme de fils et de pyramides de GaN ont été étudiés dans cette thèse ; entre autres l’influence du contrôle de la polarité initiale des substrats et des flux des précurseurs (en plus du rapport  III /V qui est généralement mis en avant). Les aspects d’auto-organisation de nanostructures non catalysées ont été explorés en détail dans le cadre de croissances sur des substrats de saphir et de GaN, ainsi que la croissance sélective au travers de masques nanostructurés de nitrures pour obtenir un contrôle en taille et en position de ces objets.