Low-Resistance Electrical Contact to Carbon Nanotubes with Graphitic Interfacial Layer
Mercredi 21 Septembre 2011 à 16h00
Amphithéâtre P015 de l'Ecole PHELMA Polygone
23 rue des martyrs - 38000 GRENOBLE
Philip Wong est professeur d'ingénierie électrique à l'Université de Stanford et il est titulaire d'une Chaire d'Excellence de la Fondation Nanosciences depuis 2007.
Ce séminaire sera donc une excellent opportunité de découvrir ses domaines de recherche de prédilection et d'en savoir plus au sujet des projets qu'il conduit à Grenoble, aux moyens de nombreuses interactions avec la communauté scientifique locale.
Télécharger la présentation - part 1Carbon nanotube (CNT) is a promising candidate for transistor and interconnects for nanoelectronic circuits. Although CNT intrinsically has excellent electrical conductivity, the large contact resistance at the interface between CNT and metal hinders its practical application. Here we show that the electrical contact to CNT is substantially improved using a graphitic interfacial layer catalyzed by a Ni layer. The p-type semiconducting CNT with graphitic contact exhibits high ON-state conductance at room temperature, and steep sub-threshold swing with back-gate configuration. We also show the contact improvement to semiconducting CNT with different capping metals. To study the role of the graphitic interfacial layer in the contact stack, the capping metal and Ni catalyst were selectively removed, and replaced with new metal pads deposited by evaporation and without further annealing. Good electrical contact to semiconducting CNT was still preserved after the new metal replacement, indicating that the contact improvement is attributed to the presence of the graphitic interfacial layer.
Les séminaires de la Fondation sont libres d'accès et ouverts à tous. Nous
espérons
que vous serez nombreux à participer à cet échange.